服务热线:
15920436915

英特尔加速制程工艺和封装技术创新

发布日期:2022年06月14日
       加强年度创新节奏;推动从芯片到系统的全面领先2021年7月27日!英特尔的帕特·基辛格在“英特尔加速创新!制程技术与封装技术在线大会”上发表演讲。在本次线上会议中?英特尔提出了未来的制程技术和封装技术路线图。
        (图片来源, Intel News Highlights Intel的制程技术和封装技术创新路线图为从现在到2025年及以后的下一波产品提供动力。两项突破性制程技术《英特尔近十年推出首个新晶体管架构’以及业界首个后端供电网络 继续引领先进的3封装创新与技术 随着英特尔进入半导体埃时代!将创建更新的节点命名系统 一致的框架;帮助客户和行业建立更准确的工艺理解节点演进。英特尔代工服务(势头强劲!并首次公布合作客户名单。2021年7月27日{英特尔公司今天公布了公司历史上最详细的工艺和封装技术路线图{展示了一系列底层技术从现在到 20 年将继续推动新产品开发的创新25岁及以上。除了宣布十多年来的首创之外]英特尔还强调了快速采用下一代极紫外光刻(即高数值孔径)的计划。 (--英特尔有望成为业界第一-光刻。英特尔的 Pat Kissinger 在以“英特尔加速创新”为主题的全球在线新闻发布会上表示)“基于英特尔在先进封装领域无可争议的领先地位!我们正在加速我们的工艺创新路线图(以确保到 2025 年工艺性能再次引领行业。英特尔正在利用我们的无与伦比的持续创新动力?实现从晶体管到系统级的技术进步。在用尽元素周期表之前, 我们将不懈地追求摩尔定律?继续利用硅的魔力:不断推进创新。”业界早就意识到,

从 1997 年开始%传统的基于纳米的工艺节点命名方式不再对应晶体管的实际栅极长度。一致的框架?以帮助客户更准确地了解整个行业的工艺节点演进。
       随着英特尔代工服务的推出]为客户提供清晰的情况比以往任何时候都更加重要。“今天宣布的创新将不会不仅帮助英特尔规划我们的产品路线图,

而且还帮助我们这一代(”基辛格说。代工客户也很重要。业界对英特尔代工有浓厚的兴趣(今天我很高兴我们宣布了我们的第一个关键客户合作伙伴关系。英特尔代工厂已启航)”英特尔技术专家详细介绍了以下路线图;其中包括新的节点名称和要实施的创新技术每个工艺节点[1.基于晶体管优化:7阶段和10阶段每瓦性能将提高约 10!-15[。 2021年即将推出的客户产品将使用7制程?随后预计2022年第一季度面向数据中心生产。 2.4 完全采用光刻技术%可使用超短波长光压印极微小的图案。随着每瓦性能提高约 20? 和芯片面积的改进?4 将于 2022 年下半年开始生产并于 2023 年发货%包括面向客户和面向数据中心的产品。与 4 相比(3.3 将实现每瓦性能约 18} 的提高}由于进一步优化和在更多工艺中增加对的使用!芯片面积将进一步提高。 3将用于2023年下半年的相关产品生产。4.20将以两项突破性技术开启艾米时代。是英特尔对晶体管的实现!这将是该公司自 2011 年率先推出晶体管架构以来的首个新晶体管架构。
       该技术可加快晶体管开关速度}同时实现与多鳍结构相同的驱动电流:但占用空间更小。英特尔独有的业界首个背面电源传输网络通过消除晶圆上的正面电源路由需求来优化信号传输。 20 预计将于 2024 年推出。英特尔也很高兴与高通在 20 工艺技术上进行合作。 5. 2025年及以后;从20到18节点也在研发中(将于2025年初推出]将提升晶体管性能%实现晶体管性能的又一次突破。大跃进。英特尔还致力于定义[构建和部署下一代——并有望成为第一个获得业界第一台光刻机的人。英特尔正在密切合作, 以确保这一突破性技术在当前一代之外取得成功。
        “英特尔在推动行业飞跃的基于流程的创新方面有着悠久的历史?”英特尔高级副总裁兼技术开发总经理博士说。 “我们引领了从 90nm 应变硅到 45nm 高金属栅极的过渡,

并在 22nm 首次引入。凭借两项开创性技术[20 将成为工艺技术的另一个分水岭。”英特尔高级副总裁兼技术开发总经理博士随着英特尔新2.0战略的实施[封装对于实现摩尔定律的好处变得更加重要(英特尔宣布将成为第一个使用英特尔代工服务的客户(封装解决方案 英特尔领先行业的先进封装路线图! 1[作为第一个2.5嵌入式桥接解决方案(将继续引领行业:从2017年开始[英特尔将继续引领行业。从2010年开始出货产品。成为第一款采用嵌入式多芯片互连桥接器的英特尔至强数据中心产品。它也将成为业界首款提供与单片设计几乎相同的性能?但集成两个标线尺寸设备的产品。下一代凸点间距将从55微米缩短到45微米。 2. 利用晶圆级封装能力%提供历史上第一个3堆叠解决方案。 e 客户端 产品中支持技术的第二代部署。该产品具有 36 微米Bump pitch]不同晶圆可基于多个工艺节点;热设计功率范围为5-125。 3. 开创性的下一代技术{通过高性能 3 堆栈技术为芯片间互连和模块化设计提供无限的灵活性。允许裸片分解以基于不同的晶圆工艺节点将多个顶部晶圆与多个基板混合匹配?预计将在 2023 年用于量产产品。 4. 实现了直接铜对铜键合的转变!这使得低电阻互连;并使晶圆制造和封装之间的界限不那么清晰。实现了低于 10 微米的凸块间距?将 3 叠层的互连密度提高了一个数量级?为功能性裸片划分提出了一种新概念{这在以前是不可能的。这是正确的补充?也有望在 2023 年用于量产产品。今天讨论的突破性技术主要在英特尔俄勒冈州和亚利桑那州的工厂开发[巩固了英特尔作为美国唯一同时拥有芯片 R 的领导者的地位.

Copyright © 2007乐鱼app下载兴致 leyuxiazai ,All Rights Reserved (www.miriammorantedesign.com) 粤ICP备2022747983
在线咨询 联系方式 二维码

服务热线

15920436915

扫一扫,关注我们

2.418183s